資料詳細

検索条件

  • 著者
    教養総研
ハイライト
  • 1 件中、 1 件目

SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術 貸出可

菅沼 克昭／編著 -- 日刊工業新聞社 -- 2014.12 -- 549.8

所蔵

所蔵は 1 件です。現在の予約件数は 0 件です。

所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 状態
一般１階 /549.8/ｽ/ 8134535206 一般 館内有

ページの先頭へ

資料詳細

書名 SiC/GaNパワー半導体の実装と信頼性評価技術
著者名 菅沼 克昭 ／編著  
出版者 日刊工業新聞社
出版年 2014.12
ページ数 247p
大きさ 21cm
一般件名 半導体 , パワーエレクトロニクス , 信頼性(工学)
NDC分類(9版) 549.8
著者紹介 東北大学工学系大学院原子核工学専攻博士課程修了。大阪大学産業科学研究所教授。専門は実装工学、材料工学。
内容紹介 省エネルギー技術の切り札として世界中で大規模プロジェクトが開始されているワイドバンドギャップ・パワー半導体。その実装技術に焦点を当て、重要と考えられる技術領域の専門家が、様々な角度から現状技術を詳細に述べる。
ISBN 4-526-07339-7
ISBN13桁 978-4-526-07339-7

ページの先頭へ